8486202100 制造半导体器件或集成电路用化学气相沉积装置
| 商品编码 | 84862021.00 | ||||
| 商品名称 | 制造半导体器件或集成电路用化学气相沉积装置 | ||||
| 商品描述 | 制造半导体器件或集成电路用化学气相沉积装置化学气相沉积装置(CVD) | ||||
| 英文名称 | Chemical Vapour Deposition(CVD)equipment for the manufacture of semiconductor devices or of electronic integrated circuis | ||||
申报实例汇总
| HS编码 | 商品名称 | 商品规格 |
| 84862021.00 | 等离子增强化学气相沉积硅镀膜系统 | 用来镀非晶和微晶膜;品牌:OERLIKON SOLAR;型号:KAI MT |
| 84862021.00 | 减反射膜制造设备(新格拉斯牌) | SINGULAR PECVO 采用化学气相沉积法 |
| 84862021.00 | 低压化学气相沉积氧化锌镀膜系统 | TCO 1200 |
| 84862021.00 | PECVD 减反射膜制造设备 | SINA L ext Turbo |
| 84862021.00 | 金属有机物化学气相淀积设备 | 用于制造外延片|由压力控制,温度控制,反应室等子系统通过计算机软件连接组成,可按照设计需求独立设定气流,压力,温度等工艺参数值,制备满足设计需求的外延片|VEECO牌|K465i |
| 84862021.00 | PECVD减反射膜制造设备 | 备;备;centrotherm牌;非标 |
| 84862021.00 | 原子层沉积系统 | ;;;ALD-150LX |
| 84862021.00 | 减反射膜制造设备 | E2000 HT410-4(4),化学气相沉积 |
| 84862021.00 | 制造半导体器件或集成电路用化学气相沉积装置 | 化学气相沉积装置(CVD) |
| 84862021.00 | 电浆辅助化学气相沉积仪(旧) | 用于LED晶片SIO2沉积制程|该机台使用电浆的辅助能 |
| 84862021.00 | 化学气相沉积系统(旧) | 用于LED晶片SIO2沉积制程|该机台使用电浆的辅助能 |
| 84862021.00 | PECVD硅片镀膜机(旧) | 在硅片表面形成氮化硅薄膜;镀膜;ROTH&RAU;无型号 |
上一条申报实例：84862010.00-氧化、扩散、退火及其他热处理设备